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Ramtron 4Mb非易失性F-RAM獲得《電子設計技術》工業創新獎

FM22L16當選為數字集成電路和數字邏輯元件類的領先產品

    全球領先的非易失性鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品的開發商及供應商Ramtron,今天宣布獲得著名雜志《電子設計技術》領先產品的創新獎。Ramtron的FM22L16,作為半導體行業第一個4兆位非易失性F-RAM存儲器,被《電子設計技術》雜志的專家組及數千名讀者選為數字集成電路和數字邏輯元件類的領先產品。
   Ramtron獲得《電子設計技術》享有盛譽的業界認可。4Mb F-RAM已經突破了新的技術范圍,并帶領Ramtron和F-RAM進入嶄新及創新的應用領域。設計工程師們,通過對FM22L16的投票,認可了這項科技成果。
   FM22L16是最高密度的F-RAM產品,到目前為止具有四重的F-RAM存儲能力。FM22L16采用44腳TSOP封裝的4 mb、3V并行非易失性FRAM,具有具有訪問速度快、無限次讀/寫和低功耗等特點,與異步靜態RAM(
SRAM)管腳兼容,主要應用于工業控制系統,如機器人技術,網絡和數據存儲應用,多功能打印機,汽車導航系統,以及大量的其他以SRAM為基礎的系統設計。
   FM22L16是256K×16非易失性存儲器,采用工業標準并行接口,存取時間為55ns,周期為110ns。它能以總線速度進行無延遲讀寫操作,使用壽命超過100萬億次,數據保存能力超過10年。
   4Mb F-RAM是標準異步SRAM的直接替代產品,而且毋需電池進行數據備份,從而顯著改進結構與系統可靠性。與電池支持的SRAM不同,FM22L16是真正的表面貼裝解決方案,不需要進行電池附加的重寫入操作,且能防止潮濕、沖擊和振動的危害。FM22L16具備能與當前高性能微處理器相連的工業標準并行接口,兼具高速頁面模式,能夠實現每秒80兆字節的峰值帶寬,是市場上速度最快的非易失性存儲器方案之一。
   FM22L16較標準SRAM具有更低的工作電流,讀/寫操作時為18mA,在超低電流睡眠模式下僅為5uA,在整個工業級溫度范圍內(-40℃至+85℃)于2.7至3.6V下工作。
   FM22L16獲得領先產品獎,將-RAM技術推上Ramtron與Texas Instruments共同發展的行之有效的主流過程。F-RAM,是一種理想的非易失性存儲器解決方案并將大有潛力改變存儲器的前景,尤其是新CMOS的前景,并將提供許多新的獨立和集成化的產品。

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